CRECIMIENTO DE ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS POR MBE

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Tipo de obleas ofertadas: Crecimiento de estructuras semiconductoras tipo n-GaAs y p-GaAs. Crecimiento de estructuras de puntos cuánticos de InAs en GaAs. En oblea de 3 pulgadas. Para otras estructuras por favor no dude en contactar con nosotros.

Equipo: El equipo de Epitaxia Molecular (MBE) Veeco GEN10, recientemente adquirido por la UPM, pertenece a una de las últimas y más avanzadas generaciones de MBEs a nivel mundial, y es el primero que se instala en un centro de investigación europeo. Posee un alto grado de automatización que facilita obtener una alta reproducibilidad y repetitividad cuando se explora el comportamiento de los materiales basados en puntos cuánticos en términos de composición, tamaño, número de capas, etc.. El reactor puede ser precargado con 8 obleas  y puede disponer simultáneamente de tres cámaras de crecimiento.

1. Sistema de caracterización espectral de fotocorriente ( baja temperatura)

Sistema de caracterización espectral de fotocorriente. Permite caracterizar la corriente eléctrica de dispositivos electrónicos optoelectrónicos, en función de la temperatura (desde 4.7 K hasta 300 K) en función de la longitud de onda incidente (desde 300 nm hasta 5000 nm).

2. Fotoreflectancia

La fotorreflectancia (PR) es una reflectancia de modulación extrínseca que consiste en detectar las variaciones relativas de reflectancia de un material que se ve perturbado bajo la acción de un haz de luz modulado.

Tal y como se aprecia la imagen adjunta mediante una lámpara y un monocromador se obtiene un haz monocromático que, una vez reflejado en la muestra excitada por la perturbación, es conducido a un detector. La información que llega al detector posee dos componentes, una continua (DC) que es proporcional a la reflectividad R , y una componente alterna (AC), proporcional a D R, que mide la variación en reflectividad como consecuencia de la perturbación inducida por al fuente de modulación a la frecuencia W . Finalmente ambas componentes se dividen con el objeto de eliminar la influencia de las variaciones de la luz del haz de prueba.

Los espectros obtenidos por esta técnica tienen la principal característica de ser proporcionales a la derivada, respecto del parámetro perturbador, de los espectros absolutos de reflectancia. El valor de la variación en reflectividad debido a las perturbaciones es muy pequeño ( D R/R ~ 10 -4 ), no obstante puede ser analizado mediante un detector síncrono (“lock-in”).

Con esta técnica es posible determinar el valor del gap del semiconductor.

3. Eficiencia Cuántica (baja temperatura)

Esta técnica permite determinar el porcentaje de fotones convertidos en corriente. Teoricamente, la eficiencia cuántica de un elemento fotosensible se define como el número efectivo de pares electrón-hueco producidos, por fotón incidente. Las medidas pueden realizarse a baja temperatura (4.7K)

4. Curvas Intensidad-Voltaje

Las infrasestructuras actuales nos permiten obtener las curvas caracteristicas I-V de las células en condiciones de oscuridad y en condiciones de iluminación, hasta concentraciones de 2500x.

5. Sistema de medida bajo concentración

Sistema capaz de medir la respuesta de diferentes muestras en concentraciones de hasta 10.000 soles.