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Capacidades técnicas
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Determinación del gap de un semiconductor mediante fotoreflectancia
En esta técnica, la muestra se escanea con fotones de diferentes energías mientras se monitorea la reflectancia de la muestra. Cuando la energía del fotón coincide con el gap del semiconductor, la reflectividad produce un pico, lo que permite medir el gap. Requisitos: tamaño de muestra inferior a 1 cm Ø; espesor de la muestra inferior a 10 mm; rango de medición 400 a 2500 nm.
- Caracterización de la eficiencia cuántica de células novedosas
Esta técnica consiste en iluminar la célula solar con fotones de diferentes energías mientras se monitorea la corriente eléctrica producida por la celda solar en condiciones de cortocircuito. La medición permite determinar el porcentaje de fotones de una determinada energía que se convierten efectivamente en corriente eléctrica. Requisitos: tamaño de muestra inferior a 4 cm x 4 cm; espesor de la muestra inferior a 5 mm; rango de medición de 400 a 1700 nm; las muestras deben estar provistas de contactos cableados.
- Capacidad para medir las características corriente-tensión de células solares en condiciones de oscuridad e iluminación
Esta técnica consiste en polarizar la célula solar con un voltaje dado y medir la corriente eléctrica que circula. El experimento se puede realizar sin iluminación y con iluminación. Requisitos: tamaño de la muestra inferior a 1 cm x 1 cm; espesor de la muestra inferior a 5 mm; rango de medición 100nA a 1 A; las muestras deben estar provistas de contactos cableados.
- Capacidad para obtener la característica corriente-tensión de células solares hasta concentraciones de 2500x
En condiciones óptimas, es posible iluminar la celda solar con una intensidad de luz de hasta 2500 veces la luz que proviene del sol utilizando pulsos de luz de flash. Requisitos: tamaño de la muestra inferior a 1 cm x 1 cm; espesor de la muestra inferior a 5 mm; rango de medición 100nA a 1 A; las muestras deben estar provistas de contactos cableados.
- Medidas por FTIR para determinar el coeficiente de absorción óptico de materiales fotovoltaicos principalmente en el infrarrojo
La técnica FTIR (Transformada de Fourier en el Infrarrojo) consiste en iluminar la muestra con fotones con energía en el infrarrojo superponiendo el haz de fotones incidente con el haz de fotones que transmite la muestra. Cuando la muestra se desplaza, el patrón de interferencia entre ambos haces cambia lo que permite medir la absortividad de la muestra en el infrarrojo. Requisitos: tamaño de la muestra superior a 1 cm x 1 cm; espesor de la muestra inferior a 5 mm; rango de medición de 800 nm a 2000 nm.
- Medidas de DLTS para el estudio de defectos semiconductores.
La técnica DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) consiste en aplicar un pulso de voltaje a la muestra mientras se mide su capacidad eléctrica. Al medir qué tan rápido o lento evoluciona esta capacidad con el tiempo en respuesta al pulso, es posible determinar qué tan efectivos son los defectos en un semiconductor para capturar pares de electrones y huecos. Requisitos: tamaño de la muestra inferior a 1 cm Ø; espesor de la muestra inferior a 5 mm; rango de medición 77 K a 330 K; las muestras deben estar provistas de contactos cableados..
- Medidas de fotoluminiscencia y electroluminiscencia de materiales y células solares
En un experimento de fotoluminiscencia, la muestra se excita con un rayo láser y en un experimento de electroluminiscencia la muestra se excita con corriente eléctrica. En ambos casos se mide el número de fotones emitidos por la muestra asicomo su energía ,lo que permite recopilar información de la calidad de la muestra y la energía de su gap. Requisitos: tamaño de muestra superior a 0,5 cm x 0,5 cm; espesor de la muestra inferior a 5 mm; rango de medición de 400 nm a 2000 nm.
- Capacidad para determinar la rugosidad de una superficie semiconductora
La rugosidad de la muestra se mide con un instrumento llamado perfilómetro. En esta técnica se mide el desplazamiento vertical de una sonda mientras escanea la superficie de la muestra. Requisitos: tamaño de la muestra inferior a 10 cm Ø; espesor de la muestra inferior a 30 mm; rango de medición 77 K a 330 K; material indeformable.
- Medidas a baja temperatura
Las mediciones de la eficiencia cuántica y las características de corriente-voltaje se pueden realizar a temperaturas criogénicas típicamente tan bajas como 10 K. Requisitos: Tamaño de la muestra menor de 1x1 cm; espesor de la muestra inferior a 1 mm; las muestras deben contactarse con 2 cables; la encapsulación proporcionada debe disipar el calor y no romperse a bajas temperaturas.
(*) Under ISO9001 STANDARD
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