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01.
Research infrastructures
Silicon production
Epitaxial growth
Cell manufacturing
Cell and material characterization
IBLAB - Intermediate Band Lab
CPV test facilities
Smart Positive Energy House: Magic Box
PV system quality control facilities
LabCell
02.
Research Lines
Concentrator photovoltaics
Distributed generation and smart grids
Energy storage
Novel materials and solar cell concepts
Off-grid PV and rural electrification
Photovoltaic modules and power plants
Silicon technology
III-V Multijunction solar cells
03.
Technological services
04.
Research Groups
Instruments and Systems Integration
Photovoltaic Systems
Renewable Distributed Generation and Intelligent Control
Silicon and New Concepts for Solar Cells
III-V Semiconductors
05.
Projects
06.
Publications
Books
Conferences
Journals
Other dissemination activities
PhD Thesis
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Projects
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Books
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Other dissemination activities
PhD Thesis
Detalles de la infrastructura
1. Fotoreflectancia
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 (I-18-05)
Tipo de material: Semiconductores
Metalización: NO
Espesor: <10mm
Tamaño: <0.5cmx0.5cm
Rango de medidas: 400nm-2500nm
2. Eficiencia cuántica
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 (I-18-05)
Tipo de material: Dispositivos semiconductores de 2 terminales
Metalización: SI (grid)
Espesor: <5mm
Tamaño <4cmx4cm
Rango de medidas: 400nm-1700nm
Medida a baja temperatura (Opcional – ver abajo)
3. Características de corriente-tensión
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Dispositivos semiconductores de 2 terminales
Metalización: SI
Espesor: <5mm
Tamaño <1cmx1cm
Rango de medidas: 100nA-1A
Medida a baja temperatura (Opcional – ver abajo)
4. Medidas de concentración
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Dispositivos semiconductores de 2 terminales
Metalización: SI
Espesor: <5mm
Tamaño <1cmx1cm
Rango de medidas: 1uA-6A & 10ºC-50ºC
Medida a baja temperatura (Opcional – ver abajo)
5. Técnica FTIR (Transformada de Fourier en el Infrarrojo)
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Semiconductores
Espesor: <5mm
Tamaño >1cmx1cm
Rango de medidas: 800nm-20000nm
6. Técnica DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Dispositivos semiconductores de 2 terminales Metalización: SI
Espesor: <5mm
Tamaño <1cm ØRango de medidas: 77K-330K
7. Fotoluminiscencia
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Semiconductores
Metalización: NO
Espesor: <5mm
Tamaño >0.5cmx0.5cm
Rango de medidas: 300nm-2000nm
8. Electroluminiscencia
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Dispositivos semiconductores de 2 terminales
Metalización: SI
Espesor: <5mm
Tamaño < 0.5cmx0.5cm
Rango de medidas: 300nm-2000nm
9. Perfilómetro
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: No viscoso
Metalización: --
Espesor: <30mm
Tamaño <10cm Ø
Rango de medidas: 1 Å-1.2 µm
10. Medidas a baja temperatura
Nuestros criostatos pueden adaptarse a medidas de eficiencia cuántica, concentración y de corriente-tensión.
Especificaciones técnicas acordes con la Norma ISO9001 I-18-05
Tipo de material: Dispositivos semiconductores de 2 terminale
Metalización: SI
Espesor: <5mm
Tamaño <1cm Ø
Rango de medidas: 6K-298K
Ref Document: I-18-06
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